型号:ZXMN10A08DN8TC | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.6A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 250 毫欧 @ 3.2A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 7.7nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 405pF @ 50V |
功率_最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
深圳市鑫远鹏科技有限公司 | 谌小姐15112667855 |
深圳市欧立现代科技有限公司 | 林小姐 胡先生 张先生0755-83222787/23999932 |
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深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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